Διδακτορικός Φοιτητής
Ιωάννης Θυρής

Email

thyris@materials.uoc.gr

Θέμα διδακτορικού

High Temperature Single Photon Emitters Based on InAs Piezoelectric Quantum Dots

Επιβλέπων

Πελεκάνος Νικόλαος, καθηγητής, ΤΕΤΥ, Παν/μιο Κρήτης

Επιτροπή

Πελεκάνος Νικόλαος, καθηγητής, ΤΕΤΥ, Παν/μιο Κρήτης

Χατζόπουλος Ζαχαρίας, αναπληρωτής καθηγητής, τμήμα Φυσικής, Παν/μιο Κρήτης

Κοπιδάκης Γεώργιος, καθηγητής, ΤΕΤΥ, Παν/μιο Κρήτης

Περίληψη

Πειραματική μελέτη κβαντικών τελειών InAs οι οποίες έχουν αναπτυχθεί κατά την (211)Β κρυσταλλογραφική διεύθυνση. Κύριος στόχος αποτελεί η ανάπτυξη αξιόπιστων μονοφωτονικών πηγών οι οποίες θα εκπέμπουν σε θερμοκρασίες άνω των 220Κ, το οποίο είναι ιδιαίτερα σημαντικό για την υλοποίηση εφαρμογών κβαντικής πληροφορίας χωρίς την ανάγκη χρήσης συστημάτων ψύξης μεγάλου κόστους. Οι κβαντικές τελείες διαθέτουν επίσης την δυνατότητα εκπομπής ζευγών φωτονίων εναγκαλισμένων προς την πόλωση. Προς αυτή την κατεύθυνση μελετάται η επίδραση ενός λεπτού στρώματος AlAs στις οπτικές και δομικές ιδιότητες των κβαντικών τελειών. Συγκεκριμένα, μελετάται ο ρόλος του στρώματος AlAs στην αύξηση του πιεζοηλεκτρικού πεδίου που υπάρχει μέσα στις τελείες, το οποίο με την σειρά του ευνοεί την παραγωγή ζευγών εναγκαλισμένων φωτονίων υψηλής πιστότητας (fidelity).

Abstract

Experimental study of InAs quantum dots (QDs), which have been grown along the (211)B crystallographic orientation. The main goal is the development of single photon sources that will reliably emit at temperatures above 220K, which is an important step towards the realization of quantum information applications, without the need of expensive cooling systems. Additionally, QDs have the ability of emitting polarization entangled photons. Towards this end, the effect of a thin AlAs cap-layer on the optical and structural properties of the dots is investigated. The increase of the QD piezoelectric field due to the AlAs cap-layed, is studied, which in turn favors the generation of high fidelity entangled photons.

facebook icon